显示装置及其制造方法与流程-k8凯发

本公开涉及一种显示装置及其制造方法。

背景技术：

1、近来，随着对信息显示的兴趣的增加，正在持续开展对显示装置的研究和开发。

2、将理解的是，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括并非是本文中公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的概念、构思或认识。

技术实现思路

1、技术问题

2、本公开提供一种通过减少在发射区域内的发光元件的分离来改善可靠性的显示装置。

3、本公开还提供了一种制造上述显示装置的方法。

4、技术方案

5、显示装置可以包括：衬底，包括像素区域；以及像素，设置在像素区域中并且包括发射区域和非发射区域。像素可以包括：第一对准电极和第二对准电极，设置成在衬底上彼此间隔开；绝缘层，定位在第一对准电极和第二对准电极上；至少一个发光元件，在发射区域中在第一对准电极和第二对准电极之间定位在绝缘层上；图案，定位在至少一个发光元件和绝缘层之间并且具有亲水基团；以及堤，在非发射区域中定位在绝缘层上，并且包括与发射区域对应的第一开口和与堤的第一开口间隔开的第二开口。

6、在实施方式中，图案可以与至少一个发光元件重叠。图案可以在一个方向上具有与发光元件的长度相等的宽度。

7、在实施方式中，图案的亲水基团可以包括选自由羟基基团(-oh)、羧基基团(-cooh)及其组合组成的组中的一种。

8、在实施方式中，发光元件可以包括具有疏水性的外周表面。

9、在实施方式中，绝缘层可以包括硅氧化物(siox)，以及图案可以包括有机材料。图案可以包括烷基硅氧烷自组装单层。

10、在实施方式中，图案可以具有亲水性，以及堤的至少一个表面可以具有疏水性。

11、在实施方式中，堤的上表面和堤的侧表面可以包括氟(f)。

12、在实施方式中，像素还可以包括电连接到发光元件并且设置成彼此间隔开的第一像素电极和第二像素电极。

13、在实施方式中，绝缘层可以部分地开口，以在发射区域中暴露第一对准电极的一部分和第二对准电极的一部分中的每个。第一像素电极可以通过绝缘层的开口部分电连接到第一对准电极。第二像素电极可以通过绝缘层的另一开口部分电连接到第二对准电极。

14、在实施方式中，绝缘层可以在堤的第二开口内包括暴露第一对准电极的一部分的第一接触孔和暴露第二对准电极的一部分的第二接触孔。

15、在实施方式中，第一像素电极可以通过绝缘层的第一接触孔电连接到第一对准电极。第二像素电极可以通过绝缘层的第二接触孔电连接到第二对准电极。

16、在实施方式中，绝缘层可以在发射区域中与第一对准电极和第二对准电极中的每个完全重叠。

17、在实施方式中，显示装置还可以包括：光转换图案，设置在第一像素电极和第二像素电极上并且与发射区域对应；以及光阻挡图案，定位在堤上并且与非发射区域对应。

18、根据实施方式，显示装置可以通过包括在衬底上形成包括发射区域和非发射区域的至少一个像素的方法进行制造。

19、在实施方式中，形成至少一个像素可以包括：在衬底上形成包括至少一个晶体管的像素电路层；在像素电路层上形成彼此间隔开的第一对准电极和第二对准电极；在第一对准电极和第二对准电极上形成绝缘层；在绝缘层上在非发射区域中形成堤；在绝缘层的一个表面上形成具有亲水基团的自组装单层；在第一对准电极和第二对准电极之间在绝缘层上的自组装单层上设置发光元件；以及通过去除自组装单层的一部分来形成定位在绝缘层和发光元件之间的图案。

20、在实施方式中，形成图案可以包括：使用氧等离子体对自组装单层执行蚀刻工艺。

21、在实施方式中，在蚀刻工艺中，可以通过在发光元件上设置屏蔽构件，向除了发光元件之外的自组装单层照射氧等离子体。

22、在实施方式中，形成堤可以包括：在堤上照射等离子体。堤的至少一个表面可以具有疏水性。

23、在实施方式中，形成至少一个像素还可以包括：在形成图案之后，形成电连接到发光元件并且设置成彼此间隔开的第一像素电极和第二像素电极。

24、有益效果

25、根据本公开的实施方式的显示装置及其制造方法可以通过在绝缘层和发光元件之间设置包括亲水基团(或亲水官能团)的图案，通过使用在具有疏水性的发光元件和具有亲水性的图案之间的排斥力来改善发光元件的分离率并且容易地控制发光元件的对准。

26、根据本公开的实施方式的效果不限于上述内容，并且本说明书中包括更多的各种效果。

技术特征：

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述图案与所述至少一个发光元件重叠。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述图案在一个方向上具有与所述发光元件的长度相等的宽度。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述图案的所述亲水基团包括选自由羟基基团(-oh)、羧基基团(-cooh)及其组合组成的组中的一种。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述发光元件包括具有疏水性的外周表面。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括硅氧化物(siox)，以及

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述图案包括烷基硅氧烷自组装单层。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述图案具有亲水性，以及

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述堤的上表面和所述堤的侧表面包括氟(f)。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素还包括：第一像素电极和第二像素电极，电连接到所述发光元件并且设置成彼此间隔开。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述绝缘层部分地开口，以在所述发射区域中暴露所述第一对准电极的一部分和所述第二对准电极的一部分中的每个，

12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述绝缘层部分地开口以在所述堤的所述第二开口内包括暴露所述第一对准电极的一部分的第一接触孔和暴露所述第二对准电极的一部分的第二接触孔。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一像素电极通过所述绝缘层的所述第一接触孔电连接到所述第一对准电极，以及

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述绝缘层在所述发射区域中与所述第一对准电极和所述第二对准电极中的每个完全重叠。

15.根据权利要求10所述的显示装置，还包括：

16.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述图案包括：使用氧等离子体对所述自组装单层执行蚀刻工艺。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述蚀刻工艺中，通过在所述发光元件上设置屏蔽构件，向除了所述发光元件之外的所述自组装单层照射所述氧等离子体。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述堤包括：在所述堤上照射等离子体，以及

20.根据权利要求16所述的方法，还包括：

技术总结
显示装置可以包括：衬底，包括像素区域；以及像素，设置在像素区域中并且包括发射区域和非发射区域。像素可以包括：第一对准电极和第二对准电极，设置成在衬底上彼此间隔开；绝缘层，定位在第一对准电极和第二对准电极上；至少一个发光元件，在发射区域中在第一对准电极和第二对准电极之间定位在绝缘层上；图案，定位在至少一个发光元件和绝缘层之间并且具有亲水基团；以及堤，在非发射区域中定位在绝缘层上，并且包括与发射区域对应的第一开口和与堤的第一开口间隔开的第二开口。

技术研发人员：李元镐,金范俊,姜锺赫,任铉德
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8