电子部件的制作方法-k8凯发

1.本实用新型涉及电子部件。


背景技术：

2.存在着在电子部件的表面标注用于识别朝向、产品种类、批号等的记号的情况。在日本特开2013-229431号公报(专利文献1)中，记载了对半导体装置的表面照射脉冲激光而形成点部。在专利文献1中，记载了通过点部与非点部的组合而形成二维码。
3.专利文献1：日本特开2013-229431号公报
4.通常，为了读取在对象物的表面形成的标记，采用从传感器部向对象物照射光并检测返回来的反射光的方法。对于在专利文献1中形成的二维码而言，作为点部形成的凹部的底面成为平坦面。在为了读取该二维码，将来自传感器的光垂直照射到半导体装置的表面的情况下，点部的底面的平坦面成为与光轴正交的状态，因此所照射的光几乎全部朝向入射方向反射。在该情况下，所检测到的反射光的强度与在二维码以外的部分获得的反射光的强度相比几乎没有变化。即，对比度不充分。因此，有可能会导致读取错误。


技术实现要素：

5.因此，本实用新型的目的在于提供一种具备能够充分确保反射光的对比度的标记的电子部件。
6.为了实现上述目的，基于本实用新型的电子部件是具有第一表面的电子部件，在上述第一表面形成有由多个点状凹部的集合形成的标记，上述多个点状凹部各自的内表面成为曲面，在从与上述第一表面垂直的方向观察时，比上述多个点状凹部各自的外形线靠内侧的区域全都不平坦。
7.根据本实用新型，由于比多个点状凹部各自的外形线靠内侧的区域全都不平坦，因此能够形成为具备能够充分确保反射光的对比度的标记的电子部件。
附图说明
8.图1是基于本实用新型的实施方式1中的电子部件的立体图。
9.图2是基于本实用新型的实施方式1中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
10.图3是关于图2中的iii-iii线的向视剖视图。
11.图4是关于图2中的iv-iv线的向视剖视图。
12.图5是关于图2中的v-v线的向视剖视图。
13.图6是表示用于获得基于本实用新型的实施方式2中的电子部件的激光的照射区域的图。
14.图7是基于本实用新型的实施方式2中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
15.图8是关于图7中的viii-viii线的向视剖视图。
16.图9是关于图7中的ix-ix线的向视剖视图。
17.图10是关于图7中的x-x线的向视剖视图。
18.图11是基于本实用新型的实施方式3中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
19.图12是关于图11中的xii-xii线的向视剖视图。
20.图13是从图12所示的状态开始进一步通过滚筒研磨将壁状部倒角后的状态的剖视图。
21.图14是基于本实用新型的实施方式4中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
22.图15是基于本实用新型的实施方式5中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
23.图16是基于本实用新型的实施方式6中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
24.图17是基于本实用新型的实施方式7中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
25.图18是基于本实用新型的实施方式7中的电子部件的标记的外形线以及第一区域的说明图。
26.图19是关于图17中的xix-xix线的向视剖视图。
27.图20是实施方式7所示的比较例的滚筒研磨前的状态的说明图。
28.图21是实施方式7所示的比较例的滚筒研磨后的状态的说明图。
29.图22是基于本实用新型的实施方式8中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
30.图23是基于本实用新型的实施方式8中的电子部件的标记的说明图。
31.图24是基于本实用新型的实施方式9中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
32.图25是基于本实用新型的实施方式10中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
33.图26是基于本实用新型的实施方式11中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
34.图27是基于本实用新型的实施方式12中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
35.图28是基于本实用新型的实施方式13中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
36.图29是基于本实用新型的实施方式14中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
37.图30是基于本实用新型的实施方式15中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
38.图31是基于本实用新型的实施方式16中的电子部件的标记及其附近的放大俯视图。
具体实施方式
39.在附图中示出的尺寸比不限于一定如实地表示现实的尺寸比，为了便于说明，有时夸张地表示尺寸比。在以下的说明中，在提及上或下的概念时，不限于意味着绝对的上或下，有时意味着图示的姿势中的相对的上或下。
40.在以下的各实施方式中称为“电子部件”的情况下，该概念不仅是指ic、电容器、电感器等单独的部件，还包括将它们组合而构成的封装状的产品。例如，也包括在基板安装有多个部件，它们被树脂密封的结构的产品。
41.(实施方式1)42.参照图1～图5，对基于本实用新型的实施方式1中的电子部件进行说明。图1表示本实施方式的电子部件101。电子部件的种类、形状没有特别限定，这里，为了便于说明，作为一个例子，示出了长方体形状的电子部件。
43.电子部件101具有第一表面2。这里，作为一个例子，电子部件101的上表面成为第一表面2。在第一表面2的一处形成有标记51。标记51是通过激光照射而形成的。这里所说的激光照射可以是脉冲激光照射。图2表示放大了标记51及其附近的情况。标记51由多个点状凹部3形成。这里，由2×
2的合计四个点状凹部3形成标记51，但这只是一个例子，也可以由更多个数的点状凹部3形成标记51。
44.图3表示关于图2中的iii-iii线的向视剖视图。图4表示关于图2中的iv-iv线的向视剖视图。图5表示关于图2中的v-v线的向视剖视图。
45.本实施方式的电子部件101是具有第一表面2的电子部件，在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记51。多个点状凹部3各自的内表面成为曲面。在从与第一表面2垂直的方向观察时，比多个点状凹部3各自的外形线靠内侧的区域全都不平坦。点状凹部3彼此之间成为壁状部5。如图3所示，壁状部5的上端的高度与第一表面2的高度相等。即使在标记51的内部，在不属于任何点状凹部3的区域中也可以具有平坦部。例如，作为图2所示的台地部6，保留有未加工的部分，这里可以是平坦的。比各点状凹部3的外形线靠内侧全都不平坦。例如成为曲面。该曲面为半球面。然而，点状凹部3的内表面也可以不一定是精确的半球面。
46.在本实施方式中，由于比多个点状凹部3各自的外形线靠内侧的区域全都不平坦，因此为了读取标记51而从与第一表面2垂直的方向朝向标记51照射的光在比各点状凹部3的外形线靠内侧，向与入射方向不同的方向反射。因此，返回到读取装置的光变少。即，在具有标记的地方和标记以外的部位，反射光的光量大不相同。这样，根据本实施方式，能够形成为具备能够充分确保反射光的对比度的标记的电子部件。
47.如本实施方式所示，多个点状凹部3优选排列为在第一方向上排列2个以上，并且在与上述第一方向垂直的第二方向上排列2个以上。在图2所示的例子中，当将图2中的左右方向设为第一方向时，图2中的上下方向为第二方向。这里，在第一方向和第二方向上各仅排列了2个，但也可以分别排列三个以上。在将标记形成为长条形状的情况下，与点状凹部3排成1列相比，优选排成2列以上。
48.(实施方式2)49.在实施方式1中，如图2所示，点状凹部3彼此以相互外接的方式相邻，但这只是一个例子。例如如图6所示，标记形成时的照射激光的区域4彼此也可以相互部分地重叠。
50.参照图6～图10，对基于本实用新型的实施方式2中的电子部件进行说明。图7表示放大了本实施方式的电子部件102中的标记52及其附近的情况。如图6所示，在将激光分别照射到区域4进行加工的情况下，获得图7所示的构造。图8表示关于图7中的viii-viii线的向视剖视图。图9表示关于图7中的ix-ix线的向视剖视图。图10表示关于图7中的x-x线的向视剖视图。在点状凹部3彼此的边界部分形成有山部7。山部7的上端位于比第一表面2低的位置。其他结构与实施方式1中说明的结构相同，因此不重复说明。
51.在本实施方式中，形成标记52的多个点状凹部3成为相连的状态，但比多个点状凹部3各自的外形线靠内侧的区域全都不平坦，因此为了读取标记52而从与第一表面2垂直的方向朝向标记52照射的光在比各点状凹部3的外形线靠内侧，向与入射方向不同的方向反射。这样，能够获得与实施方式1中描述的效果相同的效果。
52.(实施方式3)53.在实施方式1中，如图2所示，点状凹部3彼此相邻，以便相互外接，但点状凹部3彼此也可以分离。即使点状凹部3彼此分离，也能够具有多个点状凹部3的集合整体上形成标记的结构。
54.参照图11～图12，对基于本实用新型的实施方式3中的电子部件进行说明。图11表示放大了本实施方式的电子部件103的标记53及其附近的情况。图12表示关于图11中的xii-xii线的向视剖视图。标记53形成为四个点状凹部3的集合体。四个点状凹部3相互分离，但整体上接近能够理解为一个统一的标记53的程度。在点状凹部3彼此之间形成有壁状部5。其他结构与实施方式1中说明的结构相同，因此不重复说明。
55.在本实施方式中，形成标记53的多个点状凹部3成为各自分离的状态，但比多个点状凹部3各自的外形线靠内侧的区域全都不平坦，因此为了读取标记53而从与第一表面2垂直的方向朝向标记53照射的光在比各点状凹部3的外形线靠内侧，向与入射方向不同的方向反射。这样，能够获得与实施方式1中描述的效果相同的效果。
56.另外，在为了对电子部件103的角部进行倒角加工而对电子部件103实施滚筒研磨的情况下，由于壁状部5形成为格子状，因此即使滚筒研磨的介质与其碰撞，也不会将壁状部5完全压扁或者完全折断而使其成为缺损的状态的概率高。相反，如图13所例示的那样，能够将壁状部5适当地倒角而减少壁状部5的平坦部。由此，返回到读取装置的光变少。其结果，能够进一步提高反射光的对比度。即，考虑在从与第一表面2垂直的方向观察时，在比标记53的外形线9靠内侧，具有不属于多个点状凹部3的任一个且被倒角的不平坦的1个以上的第二区域的结构，该结构在进一步提高反射光的对比度方面是优选的结构。在图13所示的例子中，壁状部5被倒角的部分相当于“第二区域”。
57.此外，在滚筒研磨中使用的“介质”有时也被称为“卵石”。
58.(实施方式4)59.参照图14，对基于本实用新型的实施方式4中的电子部件进行说明。图14表示放大了本实施方式的电子部件104中的标记54及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记54。标记54形成为不是正方形的形状。在标记54中，在纵向和横向上排列的点状凹部3的个数不同。其他结构与实施方式1中说明的结构相同，因此不重复说明。
60.在本实施方式中，也能够获得与实施方式1中说明的效果相同的效果。
61.(实施方式5)62.(结构)63.参照图15，对基于本实用新型的实施方式5中的电子部件进行说明。图15表示放大了本实施方式的电子部件105中的标记55及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记55。标记55形成为十字状。即，标记55形成为点状凹部3的纵向排列与横向排列交叉。其他结构与实施方式1中说明的结构相同，因此不重复说明。
64.(作用
·
效果)65.在本实施方式中，也能够获得与实施方式1中说明的效果相同的效果。
66.(实施方式6)67.参照图16，对基于本实用新型的实施方式6中的电子部件进行说明。图16表示放大了本实施方式的电子部件106中的标记56及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部的集合形成的标记56。这里所说的多个点状凹部包括两种不同尺寸的点状凹部。即，包括尺寸大的点状凹部3a和尺寸小的点状凹部3b。这里，作为一个例子，示出了在一个标记中混合存在两种不同尺寸的点状凹部的例子，但也可以在一个标记中混合存在3种以上不同尺寸的点状凹部。其他结构与实施方式1中说明的结构相同，因此不重复说明。
68.在本实施方式中，也能够获得与实施方式1中说明的效果相同的效果。
69.(实施方式7)70.参照图17～图19，对基于本实用新型的实施方式7中的电子部件进行说明。图17表示放大了本实施方式的电子部件107中的标记57及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记57。在从与第一表面2垂直的方向观察时，电子部件107在比标记57的外形线9靠内侧，具有不属于多个点状凹部3的任一个的平坦的1个以上的第一区域8。图18表示更容易理解地示出图17中的标记57的外形线9及第一区域8的情况。在该图中画有阴影线的部分是第一区域8。点状凹部3分别通过激光加工形成，而第一区域8是未进行激光加工的区域。第一区域8成为与原来的第一表面2相同高度且平坦的面。外形线9是以与属于标记57的多个点状凹部3之中的位于最外侧的点状凹部3外接的方式包围标记57的线。图19表示关于图17中的xix-xix线的向视剖视图。多个点状凹部3排列为以2列包围第一区域8。
71.在本实施方式中，也能够获得与实施方式1中说明的效果相同的效果。另外，在为了对电子部件107的角部进行倒角加工而对电子部件107实施滚筒研磨的情况下，在电子部件107中，由于在比标记57的外形线9靠内侧，具有不属于多个点状凹部3的任一个的平坦的1个以上的第一区域8，因此即使滚筒研磨的介质与第一区域8碰撞，也不会将第一区域8完全压扁。由于通过第一区域8抑制介质相对于台地部6的碰撞，因此在电子部件107中，在滚筒研磨结束后，也能够维持与图17所示的构造相同的构造。虽然介质相对于台地部6的碰撞得到抑制，但由于存在介质相对于台地部6的碰撞，因此台地部6被适当地倒角，结果能够减少台地部6的平坦部。由此，返回到读取装置的光变少。因此，能够进一步提高反射光的对比度。
72.如果没有设置第一区域8，则在滚筒研磨前的阶段，假设图20所示的状况。即，在该情况下，成为在比标记的外形线9靠内侧排列有多个台地部6的状况。由于台地部6较细，因此在滚筒研磨的介质与其碰撞的情况下容易被压扁。对该结构的电子部件实施了滚筒研
磨，结果如图21所示，在标记的内侧，成为所有的台地部6被压扁的状态。在该情况下，在标记的中央部的大范围内成为平坦，在该平坦的部分，所照射的光朝向原来的方向反射。因此，不能充分确保将读取用的光照射到标记时的反射光的对比度。但是，在本实施方式的电子部件107中，通过具有第一区域8，能够避免成为图21所示的状态。
73.此外，如本实施方式所示，优选第一区域8被多个点状凹部3中的至少几个包围。通过采用该结构，能够将标记的尺寸确保为较大。
74.如本实施方式所示，优选第一区域8配置在标记57的中央部。通过采用该结构，能够通过第一区域8高效地防止滚筒研磨的介质的进入。
75.(制造方法)76.对本实施方式的电子部件的制造方法的一个例子进行说明。
77.首先，制作由低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics：ltcc)构成的生片。在该生片形成通孔。在通孔中填充导电膏。通过使用导电膏在生片的表面进行印刷，在生片的表面形成导体图案。将完成了至此的工序的生片层叠而制作陶瓷预制件。此时，不是单独的产品尺寸，而是以相当于多个产品的大尺寸制作陶瓷预制件。将得到的陶瓷预制件放入模具中并进行压接。
78.在压接完成的陶瓷预制件的表面形成标记。为了形成标记，能够使用激光加工、模具加工、利用溶剂的溶解等方法。通过利用这些方法中的任一个形成点状凹部，形成标记。或者，点状凹部也可以通过冲压加工使其凹陷而形成。
79.将陶瓷预制件切割成单独的产品尺寸。为此，能够使用切割加工、剪切切割、激光加工等方法。以下将从陶瓷预制件切割成单独的产品尺寸的部件称为“芯片”。对所得到的芯片根据需要进行滚筒研磨。
80.对芯片进行必要的镀覆。在此进行的镀覆可以是ni-sn镀覆、ni-非电解au镀覆等中的任一个。
81.为了使由于镀覆而产生的突出部平坦化，进行滚筒研磨。具体而言，将镀覆后的芯片和介质放入到旋转式滚筒研磨装置的罐中。作为介质，能够使用氧化锆制、氧化铝制等的介质。介质的直径例如可以为2mm以上5mm以下。能够通过滚筒的转速及处理时间来调整平坦化量。转速例如可以为50rpm以上200rpm以下。处理时间例如可以为5分钟以上30分钟以下。在滚筒研磨中，由于冲击力比喷丸弱，因此能够将对芯片的损伤抑制为较少。也可以采用振动式滚筒研磨来代替旋转式滚筒研磨。通过该滚筒研磨，使因镀覆而产生的端部成为钝角。通过该滚筒研磨，镀覆厚度变薄。
82.将完成至此的处理的芯片摆在溅射用的托盘上，进行溅射成膜。这样，获得电子部件的产品。对产品进行清洗、印字、测定、外观检查。在外观检查时，通过识别表面的标记，使产品的朝向对准。对于在外观检查中被判断为合格产品的产品，进行包装并发货。
83.这里，说明了实施方式7中的电子部件的制造方法，但该制造方法也能够同样地用于其他实施方式中的电子部件。
84.(实施方式8)85.参照图22，对基于本实用新型的实施方式8中的电子部件进行说明。图22表示放大了本实施方式的电子部件108中的标记58及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记58。在从与第一表面2垂直的方向观察时，电子部件108在比标记58的外形线9靠内侧，具有不属于多个点状凹部3的任一个的平坦的1个以上的第一区域8。在该例子中，排列在中央的四个点状凹部3周边的空白那样的部分是第一区域8。
86.在本实施方式中，也能够获得与实施方式7中说明的效果相同的效果。如图23所示，标记58的中央部的画有阴影线的区域11是即使在滚筒研磨中介质也不易进入的区域。围绕其周围的1列点状凹部3本来宽度就窄，因此是即使在滚筒研磨中介质也不易进入而不易压扁的区域。因此，对于电子部件108而言，即使实施滚筒研磨，标记58也不易压扁。
87.(实施方式9)88.参照图24，对基于本实用新型的实施方式9中的电子部件进行说明。图24表示放大了本实施方式的电子部件109中的标记59及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记59。在该例子中，第一区域8没有被多个点状凹部3完全包围。第一区域8与外形线9相连。
89.其他结构与至此说明的结构相同，因此不重复说明。
90.在本实施方式中，也能够获得与实施方式7中说明的效果相同的效果。
91.(实施方式10)92.参照图25，对基于本实用新型的实施方式10中的电子部件进行说明。图25表示放大了本实施方式的电子部件110中的标记60及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记60。在该例子中，第一区域8没有被多个点状凹部3完全包围。在该例子中，第一区域8与外形线9相连。这样，第一区域8也可以在一个标记60中被分成多个。标记60被第一区域8分隔成三个部分。
93.其他结构与至此说明的结构相同，因此不重复说明。
94.在本实施方式中，也能够获得与实施方式7中说明的效果相同的效果。
95.(实施方式11)96.参照图26，对基于本实用新型的实施方式11中的电子部件进行说明。图26表示放大了本实施方式的电子部件111中的标记61及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记61。在该例子中，在一个标记61中存在多个第一区域8。
97.其他结构与至此说明的结构相同，因此不重复说明。
98.在本实施方式中，也能够获得与实施方式7中说明的效果相同的效果。
99.(实施方式12)100.参照图27，对基于本实用新型的实施方式12中的电子部件进行说明。图27表示放大了本实施方式的电子部件112中的标记62及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记62。在该例子中，在标记62中存在十字形状的第一区域8。
101.其他结构与至此说明的结构相同，因此不重复说明。
102.在本实施方式中，也能够获得与实施方式1中说明的效果相同的效果。
103.(实施方式13)104.参照图28，对基于本实用新型的实施方式13中的电子部件进行说明。图28表示放大了本实施方式的电子部件113中的标记63及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记63。在该例子中，在标记63中存在v字形状的第一区域8和直线状的第一区域8。
105.其他结构与至此说明的结构相同，因此不重复说明。
106.在本实施方式中，也能够获得与实施方式1中说明的效果相同的效果。
107.(实施方式14)108.参照图29，对基于本实用新型的实施方式14中的电子部件进行说明。图29表示放大了本实施方式的电子部件114中的标记64及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记64。在该例子中，在标记64中存在c字形状的第一区域8。
109.其他结构与至此说明的结构相同，因此不重复说明。
110.在本实施方式中，也能够获得与实施方式1中说明的效果相同的效果。
111.(实施方式15)112.参照图30，对基于本实用新型的实施方式15中的电子部件进行说明。图30表示放大了本实施方式的电子部件115中的标记65及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记65。在该例子中，在标记65中存在几个第一区域8。
113.其他结构与至此说明的结构相同，因此不重复说明。
114.在本实施方式中，也能够获得与实施方式7中说明的效果相同的效果。
115.(实施方式16)116.参照图31，对基于本实用新型的实施方式16中的电子部件进行说明。图31表示放大了本实施方式的电子部件116中的标记66及其附近的情况。在第一表面2形成有由多个点状凹部3的集合形成的标记66。在该例子中，在标记66中存在几个第一区域8。其中，几个第一区域8与外形线9相连。
117.其他结构与至此说明的结构相同，因此不重复说明。
118.在本实施方式中，也能够获得与实施方式7中说明的效果相同的效果。
119.此外，在上述各实施方式中，示出了点状凹部3在剖视图中观察时为半圆形，但这只是一个例子，不限于精确的半圆形。点状凹部3在剖视图中观察时，例如也可以为椭圆形减半而得到的形状。
120.此外，也可以将上述实施方式中的多个适当组合而采用。
121.此外，本次公开的上述实施方式的全都的点都只是例示，并非是对本实用新型进行的限制。本实用新型的范围由权利要求书表示，包括与权利要求书等同的意思及在其范围内的全都变更。
122.附图标记说明
123.2...第一表面；3...点状凹部；4...(照射激光的)区域；5...壁状部；6...台地部；7...山部；8...第一表面；9...外形线；11...区域；51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、65、66...标记；101、102、103、104、105、106、107、108、109、110、111、112、113、114、115、116...电子部件。