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一种具有高稳定性的mosfet-tfet混合型t-sram单元电路、模块.本发明涉及集成电路设计，更具体的，涉及一种具有高稳定性的mosfet-tfet混合型t-sram单元电路，和使用了该种t-sram单元电路封装而成的模块。.随着芯片集成度的增加，mosfet器件的等比...

一种便携式cd一体机.本实用新型涉及一种cd一体机，具体为一种便携式cd一体机，属于cd一体机。.cd音响机又名激光唱机，是一种能够播放音频信号的设备。.翻盖型cd机是一种较为常见的机型，在cd机顶部设置有将机芯遮挡住的翻盖；当需要换碟时候，需要打开顶部的翻盖。.但是在对更...

用于清除存储器内容的装置和方法.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日提交的美国专利申请no./,的权益和优先权，其全部内容通过引用并入本文。.本公开的各方面涉及存储器设备，并且具体地涉及用于发出和执行用以清除存储器内容的命令的系统和方法。.通常，计算系统中的主存储器可以使用随机存...

.本实用新型涉及监控装置，具体为一种电子文档安全管理用监控装置。.现有的电子文档大多是存储可移动硬盘里，使其能够具有便于携带的特性，但是现有的可移动硬盘在进行同一存放时，大多是通过柜体对其进行存放，现有的用于存放硬盘的柜体大多是通过防潮剂对柜体内空气中的水分进行吸收，还有部分柜体采...

.本公开涉及集成电路，具体涉及一种开关控制电路、芯片及电子设备。.efuse通常是由芯片制造厂商提供的ip，是一种非易失性的一次性可编程存储器，为了提高芯片设计的安全因数及芯片量产测试的良率，待产芯片会内嵌efuseip。.在编程烧写阶段，efuse的avdd端会抽取较大的电流，...

.本发明涉及存内计算领域，特别是涉及一种全数字存内计算装置。.在如今人工智能领域如火如荼发展的前提下，之前已有的冯诺依曼结构已经无法满足数据量较大的使用场景。在总线上做数据传输，对于卷积神经网络等使用场景下总线的带宽限制成为了主要瓶颈。.基于上述问题，存内计算结构应运而生。这种结构的思想就...

一种新型smt磁头的制造方法及其磁头.本发明涉及磁头制作，具体涉及一种新型smt磁头的制造方法以及应用该方法制造而成的磁头。.当前磁头生产的制造工序多，生产时间长，装配尺寸精度要求高，针脚共面度难以调整等，这些因素制约着磁头制造成本和smt磁头的焊接稳定性。如图所示，图为当...

.本申请涉及译码验证，尤其涉及一种存储器的译码功能的译码验证方法及其验证系统。.验证存储器的译码功能比较复杂，既要检查地址信息和与多个模拟电压信号的映射关系，又需要对地址信息进行遍历。验证存储器的译码功能的数据量越大，译码验证的难度就越大，其验证的正确性的难度也越大。相关技术中有两...

.本发明涉及忆阻器阵列电路，主要涉及一种基于二值化标记扩容的忆阻器存储阵列及扩容方法。.忆阻存储阵列存储信息具有天然的优势，相较于普通存储器仅仅能够存储、的的形式，忆阻器能够凭借丰富阻态，在消耗资源极少的情况下，存储大量的浮点信息。.忆阻器的特点类似于神经网络中的突触，虽然已经有神...

.本公开大体上涉及存储器装置，且更特定来说，涉及与在存储器裸片处使存储器裸片的初始化延迟相关的设备及方法。.存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据且包含随机存取存储器(ram...

.本申请涉及数据存储，尤其涉及一种硬盘分组方法、装置、电子设备及存储介质。.在大容量数据存储领域，通常采用独立磁盘冗余阵列(redundantarrayofindependentdisks，raid)搭建基础架构，将多个单独的物理硬盘以不同的方式组合成一个逻辑硬盘，进行数据存...

.本公开涉及集成电路制造，具体而言，涉及一种能够提高列选择信号的开启速度的列选择信号控制电路、存储电路及半导体存储器。.在常见的第四代ddr(doubledataratesdram，双倍速率同步动态随机存储器)芯片(ddr)的csl(列选择信号)架构及其译码器的电路设计中，一...

计时跳变同步的方法及电子设备.本申请要求于年月日提交国家知识产权局、申请号为.、申请名称为“计时跳变同步的方法及电子设备”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。.本申请涉及终端，尤其涉及一种计时跳变同步的方法及电子设备。.目前的计时多采用计时时间每秒跳变...

半导体存储器件的子字线驱动器电路和包括该子字线驱动器电路的半导体存储器件.相关申请的交叉引用.本公开要求于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--的优先权，其全部内容通过引用合并于此。.本公开涉及存储器，并且更具体地涉及驱动字线的子字线驱动器电路和包括该子字线驱动器电路的半导体存...

.本申请涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作。.本节段提供与本公开相关联的技术相关的背景信息，并且由此不一定为现有技术。.半圆漏极侧选择栅极(“sc-sgd”)存储器技术提供若干优点，包括减小的管芯尺寸。为了生产sc-sgd，使用蚀刻技术来切割存储器孔，从而赋予它们半圆形形状，...

本发明的技术涉及一种磁带驱动器以及磁带驱动器的动作方法。专利文献中记载了一种磁带装置，其中，从空气吹送部件向与表面相反一侧的磁带的背面吹送空气，在通过空气使磁带浮起的状态下面对磁头。非专利文献中，基于已报道的接触滑块设计论，重新通过jkr(johnson-kendall-robert)理论...

.本发明涉及一种内存，尤其涉及一种动态随机存取内存(dynamicrandomaccessmemory，dram)及其操作方法。.行干扰(rowhammer)现象是动态随机存取内存(dynamicrandomaccessmemory，dram)的物理漏电问题。当dram中特定...

存储设备以及用于控制行锤击的方法.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--的优先权，并在此通过引用完整地并入其公开内容。.本公开涉及半导体存储设备，更具体地，涉及用于使用区分虚假条目和真实条目的条目标识符来控制行锤击的半导体存储设备及其操作方法。背...

双精度模拟存储器单元及阵列.本申请是申请号为.，申请日为年月日，发明名称为“双精度模拟存储器单元及阵列”的专利申请的分案申请。.相关申请的交叉引用.本申请要求申请号为/,，申请日为年月日，名称为“双精度模拟存储器单元”的美国临时专利申请的优先权，并将该申请的内容整体援引于此。.本发明总体涉...

.本发明涉及数模电路的，尤其涉及一种二级奖惩操作性条件反射时延电路，利用忆阻实现对斯金纳操作性条件反射思想的进一步探索以及衍伸。.忆阻器的概念是由蔡少棠教授在年提出的，但之后很多年都无人问津，直到年惠普实验室制造出来可以在电路中正常发挥忆阻特性的实物，忆阻器的应用开始飞速发展。因为...