本申请涉及电路，尤指一种工艺补偿的电压源电路和电压源。
背景技术：
1、现有电压源电路如图2所示，电流i1流经nm0、pm0、nm2，其中nm0为native nmos管，pm0为pmos管，nm2为nmos管，产生clamp电压为vgs_n vgs_p vgs_nz，native nmos管nm1为驱动管，通常其尺寸会很大，nm3镜像nm2的电流作为nm1的负载，产生的电压vdd为vgs_n vgs_p vgs_nz-vgs_nzp，该电压源为开环结构，由于不同的工艺条件或者温度下，vdd需要提供不同大小的驱动电流，由于节点ndr电压不变，当需要提供大电流驱动时，nm1需要更大的vgs，所以vdd会被拉低。
2、因此现有方案中存在小负载电流到大负载电流范围变化，由于驱动能力不足电压被拉低的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种工艺补偿的电压源电路，通过本方案可以解决上述问题。
2、本申请提供的技术方案如下：
3、一种工艺补偿的电压源电路，包括：
4、电流源(i1)、第一nmos管(nm0)、第二nmos管(nm1)、第三nmos管(nm2)、第四nmos管(nm4)、第五nmos管(nm3)、第一pmos管(p0)、第一电流镜、第二电流镜；
5、所述第一nmos管(n0)，与所述电流源、所述第二nmos管、第三nmos管连接；所述第二nmos管，与所述第五nmos管连接，所述第五nmos管与所述第三nmos管、所述第一pmos管连接；
6、所述第一电流镜，与所述第一nmos管(n0)、所述电流源、所述第二nmos管、所述第三nmos管、所述第二电流镜连接，用于当所述第一nmos管流入负载电流时，所述第三nmos管流入补偿负载电流，所述第一电流镜将补偿负载电流镜像至所述第一nmos管、所述第二电流镜；
7、所述第二电流镜，与所述第一nmos管连接，用于增强所述第一nmos管的电压驱动。
8、在一些实施方式中，所述第一电流镜包括：第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管；
9、所述第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管的源极相连；
10、所述第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管的栅极相连，所述第二pmos管的漏极与所述第二nmos管的栅极、漏极连接；
11、第三pmos管的漏极与所述第三nmos管的漏极连接；
12、第四pmos管的漏极与所述第二电流镜相连。
13、在一些实施方式中，所述第二电流镜包括：第六nmos管、第七nmos管；
14、所述第六nmos管的漏极与所述第四pmos管的漏极连接，所述第六nmos管的源极与所述第七nmos管的源极连接，所述第六nmos管的栅极与所述第七nmos管的栅极连接；
15、所述第七nmos管的漏极与所述第一nmos管的源极、所述第一pmos管的源极连接，所述第七nmos管的栅极与所述第一pmos管、所述第三nmos管的栅极、漏极连接。
16、在一些实施方式中，所述第二pmos管：第三pmos管：第四pmos管＝1：1：1，所述第六nmos管：所述第七nmos管＝1：1，所述第二pmos管流入所述第一nmos管的电流等于所述第七nmos管镜像的电流。
17、在一些实施方式中，还包括：
18、第一负载，与所述第二nmos管的输出电压端连接；
19、第二负载，与所述第四nmos管的输出电压端连接；
20、其中，所述第二nmos管:所述第三nmos管＝n:1，所述第三pmos管:所述第二pmos管＝m:1，则load:load_pc＝m*n:1，即load_pc＝load/(m*n)，load为所述第一负载，load_pc为所述第二负载。
21、在一些实施方式中，还包括：所述第二nmos管和所述第四nmos管为驱动管。
22、在一些实施方式中，所述第二pmos管，与所述第一负载连接，用于输出第一电压。
23、在一些实施方式中，所述第四pmos管，与所述第二负载连接，用于输出第二电压。
24、本申请还提供一种电压源，包括所述的一种工艺补偿的电压源电路。
25、通过本申请提供的一种工艺补偿的电压源电路和电压源至少可以实现以下技术效果：本申请的电压源与现有的电压源相比，同样驱动管尺寸下可以提供更大的驱动能力。
1.一种工艺补偿的电压源电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的工艺补偿的电压源电路，其特征在于，所述第一电流镜包括：第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管；
3.根据权利要求2所述的工艺补偿的电压源电路，其特征在于，所述第二电流镜包括：第六nmos管、第七nmos管；
4.根据权利要求3所述的工艺补偿的电压源电路，其特征在于，所述第二pmos管：第三pmos管：第四pmos管＝1：1：1，所述第六nmos管：所述第七nmos管＝1：1，所述第二pmos管流入所述第一nmos管的电流等于所述第七nmos管镜像的电流。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的工艺补偿的电压源电路，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的工艺补偿的电压源电路，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的工艺补偿的电压源电路，其特征在于，还包括：所述第二nmos管和所述第四nmos管为驱动管。
8.根据权利要求7所述的工艺补偿的电压源电路，其特征在于，所述第二pmos管，与所述第一负载连接，用于输出第一电压。
9.根据权利要求7所述的工艺补偿的电压源电路，其特征在于，所述第四pmos管，与所述第二负载连接，用于输出第二电压。
10.一种电压源，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的一种工艺补偿的电压源电路。