本申请涉及存储芯片，具体而言，涉及一种编程校验电压设定方法、编程方法、装置、芯片及设备。
背景技术：
1、nor flash利用存储单元存储数据，存储单元以阈值电压的大小来存储数据1或数据0。
2、存储单元的数据保持能力在使用后期会变差，其主要原因为：存储单元的隧穿氧化层在执行编程操作时出现卡电子现象，即捕获了多余的不稳定的电子，导致存储单元在编程校验合格后，由于该部分不稳定的电子的释放而引起阈值电压下降的问题，以导致编程后的存储单元出现放置一段时间后出现弱0状态。
3、针对上述问题，目前尚未有有效的技术凯发k8ag旗舰厅真人平台的解决方案。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种编程校验电压设定方法、编程方法、装置、芯片及设备，以准确判断存储单元的编程操作是否合格，避免编程后的存储单元出现放置一段时间后出现弱0状态。
2、第一方面，本申请提供了一种编程校验电压设定方法，应用在nor flash的编程操作中，所述编程校验电压设定方法包括以下步骤：
3、获取目标存储区域在执行擦除操作后的阈值电压；
4、根据目标存储区域的初期阈值电压和所述阈值电压获取电压差值；
5、根据所述电压差值和初期编程校验电压设定编程校验电压。
6、本申请的编程校验电压设定方法，获取的目标存储区域在执行擦除操作后的阈值电压能表征存储单元的隧穿氧化层和浮栅叠加的电子捕获能力，并利用该阈值电压和初期阈值电压进行计算获取能单独表征隧穿氧化层的电子捕获能力的电压差值，再以该电压差值来调整设定编程校验电压，以准确判断存储单元的编程操作是否合格，避免编程后的存储单元出现放置一段时间后出现弱0状态。
7、所述的编程校验电压设定方法，其中，所述编程校验电压设定方法在目标存储区域的cycle次数达到预设的cycle次数阈值时触发执行以更新所述编程校验电压。
8、本申请的编程校验电压设定方法在目标存储区域的cycle次数达到预设的cycle次数阈值时触发，以阶段性地更新设定编程校验电压。
9、所述的编程校验电压设定方法，其中，所述cycle次数阈值为30000、50000、70000和90000中的一个或多个。
10、所述的编程校验电压设定方法，其中，所述根据所述电压差值和初期编程校验电压设定编程校验电压的步骤包括：
11、根据所述电压差值和校正系数的乘积以及所述初期编程校验电压设定编程校验电压，所述校正系数根据所述nor flash的编程操作和擦除操作的电子浓度关系进行设定。
12、所述的编程校验电压设定方法，其中，所述阈值电压为所述目标存储区域在执行擦除操作后的所有存储单元的平均阈值电压，或为所述目标存储区域在执行擦除操作后的中间阈值电压，或为所述目标存储区域在执行擦除操作后的最大阈值电压，或为所述目标存储区域在执行擦除操作后的最小阈值电压，或为所述最大阈值电压和所述最小阈值电压的均值，或为所述最大阈值电压、所述最小阈值电压和所述中间阈值电压的均值。
13、所述的编程校验电压设定方法，其中，所述目标存储区域包括若干存储阵列或若干块或若干扇区。
14、第二方面，本申请还提供了一种编程方法，所述编程方法包括以下步骤：
15、对目标存储区域中的目标存储单元进行编程操作；
16、根据如第一方面提供的编程校验电压设定方法设定的所述编程校验电压校验所述目标存储单元的编程数据。
17、本申请的编程方法，利用第一方面提供的编程校验电压设定方法设定的编程校验电压校验目标存储单元的编程数据，能充分考虑隧穿氧化层的电子捕获能力对目标存储单元的阈值电压的影响，以使得编程校验合格的存储单元在放置一段时间后不会出现弱0状态，具有良好的数据保持能力。
18、第三方面，本申请还提供了一种编程校验电压设定装置，应用在nor flash的编程操作中，所述编程校验电压设定装置包括：
19、获取模块，用于获取目标存储区域在执行擦除操作后的阈值电压；
20、计算模块，用于根据目标存储区域的初期阈值电压和所述阈值电压获取电压差值；
21、设定模块，用于根据所述电压差值和初期编程校验电压设定编程校验电压。
22、本申请的编程校验电压设定装置，获取的目标存储区域在执行擦除操作后的阈值电压能表征存储单元的隧穿氧化层和浮栅叠加的电子捕获能力，并利用该阈值电压和初期阈值电压进行计算获取能单独表征隧穿氧化层的电子捕获能力的电压差值，再以该电压差值来调整设定编程校验电压，以准确判断存储单元的编程操作是否合格，避免编程后的存储单元出现放置一段时间后出现弱0状态。
23、第四方面，本申请还提供了 一种存储芯片，所述存储芯片包括控制电路和存储阵列，所述存储芯片基于所述控制电路运行如第一方面提供的编程校验电压设定方法设定用于校验所述存储阵列中的编程数据的编程校验电压。
24、第五方面，本申请还提供了一种电子设备，包括如第四方面提供的存储芯片。
25、由上可知，本申请提供了一种编程校验电压设定方法、编程方法、装置、芯片及设备，其中，本申请的编程校验电压设定方法，获取的目标存储区域在执行擦除操作后的阈值电压能表征存储单元的隧穿氧化层和浮栅叠加的电子捕获能力，并利用该阈值电压和初期阈值电压进行计算获取能单独表征隧穿氧化层的电子捕获能力的电压差值，再以该电压差值来调整设定编程校验电压，以准确判断存储单元的编程操作是否合格，避免编程后的存储单元出现放置一段时间后出现弱0状态。
1.一种编程校验电压设定方法，应用在nor flash的编程操作中，其特征在于，所述编程校验电压设定方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的编程校验电压设定方法，其特征在于，所述编程校验电压设定方法在目标存储区域的cycle次数达到预设的cycle次数阈值时触发执行以更新所述编程校验电压。
3.根据权利要求2所述的编程校验电压设定方法，其特征在于，所述cycle次数阈值为30000、50000、70000和90000中的一个或多个。
4.根据权利要求1所述的编程校验电压设定方法，其特征在于，所述根据所述电压差值和初期编程校验电压设定编程校验电压的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的编程校验电压设定方法，其特征在于，所述阈值电压为所述目标存储区域在执行擦除操作后的所有存储单元的平均阈值电压，或为所述目标存储区域在执行擦除操作后的中间阈值电压，或为所述目标存储区域在执行擦除操作后的最大阈值电压，或为所述目标存储区域在执行擦除操作后的最小阈值电压，或为所述最大阈值电压和所述最小阈值电压的均值，或为所述最大阈值电压、所述最小阈值电压和所述中间阈值电压的均值。
6.根据权利要求1所述的编程校验电压设定方法，其特征在于，所述目标存储区域包括若干存储阵列或若干块或若干扇区。
7.一种编程方法，其特征在于，所述编程方法包括以下步骤：
8.一种编程校验电压设定装置，应用在nor flash的编程操作中，其特征在于，所述编程校验电压设定装置包括：
9.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片包括控制电路和存储阵列，所述存储芯片基于所述控制电路运行如权利要求1-6任一项所述的编程校验电压设定方法设定用于校验所述存储阵列中的编程数据的编程校验电压。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的存储芯片。