半导体结构的制备方法与流程-k8凯发

本公开涉及一种半导体结构的制备方法。特别涉及一种包括字元线的半导体结构的制备方法。

背景技术：

1、半导体结构被运用在各种电子应用上，且半导体结构的尺寸不断微缩化以满足当前的应用需求。然而，在微缩化的工艺期间会出现各种问题，并影响最终的电气特性、品质、成本和产量。典型的存储器元件(像是动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory；dram)元间)包括信号线，像是字元线和与字元线交叉的位元线。随着dram元件微缩化及信号线的尺寸及/或间距越来越小，电流泄漏将成为关键的议题。

2、上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不形成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应做为本公开的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一方面提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供设置于基板上的牺牲结构；移除部分的牺牲结构以形成多个中央开口、至少一个边缘开口、和彼此间隔开的多个柱体；形成第一材料层以覆盖该些柱体、该些中央开口、和至少一个边缘开口的一部分，其中第一材料层的厚度小于该些柱体的高度；以及通过至少一个边缘开口来形成至少一个边缘字元线于基板上，并通过该些中央开口来形成多个中央字元线于基板上。

2、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。形成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可做为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

技术特征：

1.一种半导体结构的制备方法，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中在形成该第一材料层之后，该制备方法还包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中在暴露出该些柱体的顶表面之后，该制备方法还包括：

4.如权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其中在形成该些凹槽之后，该制备方法还包括：

5.如权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其中在形成该第二材料层之后，该制备方法还包括：

6.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其中该至少一个边缘沟槽的一深度实质上等于该些中央沟槽的一深度。

7.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其中在形成该至少一个边缘沟槽和该些中央沟槽之后，该制备方法还包括：

技术总结
本公开提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供设置于基板上的牺牲结构；移除部分的牺牲结构以形成多个中央开口、至少一个边缘开口、和彼此间隔开的多个柱体；形成第一材料层以覆盖该些柱体、该些中央开口、和至少一个边缘开口的一部分，其中第一材料层的厚度小于该些柱体的高度；以及通过至少一个边缘开口来形成至少一个边缘字元线于基板上，并通过该些中央开口来形成多个中央字元线于基板上。

技术研发人员：林育廷
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8