阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板与流程-k8凯发

本发明涉及液晶显示，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板。

背景技术：

1、目前已知的非晶硅/低温多晶硅/氧化物 tft（thin film transistor，薄膜晶体管）器件金属源漏极（铜或者铝）在同一平面时，源漏极沟道的形成方法主要是先金属成膜后进行正光阻曝光（光阻形貌正梯形），形成曝光宽度，然后再蚀刻金属两侧形成金属蚀刻宽度，最后去正光阻形成完整的源漏极金属沟道，此时源漏极沟道宽度=曝光宽度 2×金属蚀刻宽度，由于曝光宽度通常大于等于2微米（μm），金属蚀刻宽度通常大于等于1μm，因此在现有的制备流程下，源漏极沟道宽度一般都会大于等于4μm，即形成的半导体沟道会比较长，tft器件开态电流较低，并且，由于半导体沟道长，金属导线间距也会长，无法满足高性能显示产品的要求。

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，旨在解决现有技术中阵列基板的源漏极沟道较长，影响显示面板显示性能的技术问题。

2、为实现上述目的，本发明提出一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极金属层、漏极金属层、源极金属层和半导体层，所述半导体层覆盖于所述栅极金属层上方，所述漏极金属层和所述源极金属层设置在所述半导体层上方的同一平面，所述漏极金属层和所述源极金属层之间形成沟道，所述沟道的宽度小于等于金属蚀刻宽度，所述金属蚀刻宽度为形成所述漏极金属层时在两侧蚀刻的宽度。

3、可选的，所述金属蚀刻宽度大于等于1微米。

4、可选的，所述漏极金属层与所述半导体层之间界面的清晰程度大于所述源极金属层与所述半导体层之间界面的清晰程度。

5、为实现上述目的，本发明还提出一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：

6、在衬底上依次形成栅极金属层与半导体层；

7、在所述半导体层上形成源极金属膜层，并在所述源极金属膜层上形成负光阻层；

8、蚀刻所述负光阻层未覆盖的源极金属膜层，并按照金属蚀刻宽度蚀刻所述负光阻层覆盖的源极金属膜层两侧，形成源极金属层；

9、在所述半导体层上形成漏极金属膜层，所述漏极金属膜层被所述负光阻层分离，在所述源极金属层与两侧的漏极金属膜层之间形成间隙，所述间隙的宽度小于等于所述金属蚀刻宽度；

10、去除所述负光阻层，蚀刻所述漏极金属膜层，在所述源极金属层的目标侧形成漏极金属层，所述漏极金属层与所述源极金属层之间保留所述间隙形成沟道。

11、可选的，所述在所述源极金属膜层上形成负光阻层，包括：

12、在所述源极金属膜层上涂布负光阻，并在抽真空后进行软烤，形成初始负光阻层；

13、在所述初始负光阻层上覆盖第一曝光掩膜版并进行曝光；

14、对曝光后的初始负光阻层进行显影处理，在第一预设区域形成所述负光阻层，所述负光阻层的形态为倒梯形。

15、可选的，所述蚀刻所述漏极金属膜层，在所述源极金属层的目标侧形成漏极金属层，包括：

16、在所述漏极金属膜层与所述源极金属层上形成正光阻层，所述正光阻层覆盖所述源极金属层、所述目标侧的间隙以及所述目标侧预设宽度的漏极金属膜层；

17、蚀刻所述正光阻层未覆盖的漏极金属膜层，并按照所述金属蚀刻宽度蚀刻所述正光阻层覆盖的漏极金属膜层的目标侧，形成所述漏极金属层；

18、去除所述正光阻层。

19、可选地，所述在所述漏极金属膜层与所述源极金属层上形成正光阻层，包括：

20、在所述源极金属层与所述漏极金属膜层上涂布正光阻，并在抽真空后进行软烤，形成初始正光阻层；

21、在所述初始正光阻层上覆盖第二曝光掩膜版进行曝光；

22、对曝光后的初始正光阻层进行显影处理，并进行硬烤，在第二预设区域形成所述正光阻层，所述第二预设区域覆盖所述源极金属层、所述目标侧的间隙以及所述目标侧预设宽度的漏极金属膜层。

23、可选地，所述在所述半导体层上形成源极金属膜层，包括：

24、在所述半导体层上形成第一隔垫层；

25、在所述第一隔垫层上形成第一金属导线层；

26、所述在所述半导体层上形成漏极金属膜层，包括：

27、在所述半导体层上形成第二隔垫层；

28、在所述第二隔垫层上形成第二金属导线层。

29、可选地，所述金属蚀刻宽度大于等于1微米，所述源极金属层的宽度、所述目标侧间隙的宽度以及所述预设宽度之和小于所述正光阻层的宽度。

30、为实现上述目的，本发明还提出一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板和如上述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶层。

31、本发明中，阵列基板包括栅极金属层、漏极金属层、源极金属层和半导体层，半导体层覆盖于栅极金属层上方，漏极金属层和源极金属层设置在半导体层上方的同一平面，漏极金属层和源极金属层之间形成沟道，沟道的宽度小于等于金属蚀刻宽度，金属蚀刻宽度为形成所述漏极金属层时在两侧蚀刻的宽度。相较于传统的tft器件，源漏极沟道宽度通常为光阻曝光宽度和两倍金属蚀刻宽度之和，宽度较长，影响显示面板显示性能，本发明中漏极金属层和源极金属层之间的距离小于等于金属蚀刻宽度，即源漏极沟道宽度小于等于金属蚀刻宽度，有效缩小了tft的源漏极沟道宽度，具有反应快、开态电流大、阈值电压小等优势，并且能够缩短金属导线的距离，单位面积内能够设计更多的金属导线，同时缩小了源漏极沟道宽度，减小了tft的占用面积，也因此同样面积下能提高像素密度，也进一步提高了显示面板的开口率，进而提高显示面板的显示性能。

技术特征：

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极金属层、漏极金属层、源极金属层和半导体层，所述半导体层覆盖于所述栅极金属层上方，所述漏极金属层和所述源极金属层设置在所述半导体层上方的同一平面，所述漏极金属层和所述源极金属层之间形成沟道，其特征在于，所述沟道的宽度小于等于金属蚀刻宽度，所述金属蚀刻宽度为形成所述漏极金属层时在两侧蚀刻的宽度。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属蚀刻宽度大于等于1微米。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极金属层与所述半导体层之间界面的清晰程度大于所述源极金属层与所述半导体层之间界面的清晰程度。

4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述源极金属膜层上形成负光阻层，包括：

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述蚀刻所述漏极金属膜层，在所述源极金属层的目标侧形成漏极金属层，包括：

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述漏极金属膜层与所述源极金属层上形成正光阻层，包括：

8.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体层上形成源极金属膜层，包括：

9.如权利要求4至8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属蚀刻宽度大于等于1微米，所述源极金属层的宽度、所述目标侧间隙的宽度以及所述预设宽度之和小于所述正光阻层的宽度。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括彩膜基板和如权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶层。

技术总结
本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，涉及显示技术领域。阵列基板包括栅极金属层、漏极金属层、源极金属层和半导体层，半导体层覆盖于栅极金属层上方，漏极金属层和源极金属层设置在半导体层上方的同一平面，漏极金属层和源极金属层之间形成沟道，沟道的宽度小于等于金属蚀刻宽度，金属蚀刻宽度为形成所述漏极金属层时在两侧蚀刻的宽度。能够缩短漏极金属层和源极金属层之间的距离，从而缩小tft源漏极沟道宽度，具有反应快、开态电流大、阈值电压小等优势，并且能够缩短金属导线的距离，单位面积内能够设计更多的金属导线，进而提高显示面板的显示性能。

技术研发人员：王辉,袁海江
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8