套刻误差量测的方法、装置、系统及存储介质与流程-k8凯发

本申请涉及半导体量测，具体涉及一种套刻误差量测的方法、装置、系统及存储介质。

背景技术：

1、半导体光刻工艺中存在上下层图形的重复曝光，且要求上下层曝光的图形准确套叠在一起(即套刻)。理想情况如第二层掩膜曝光的图形必须和第一层掩模曝光的图形准确的套叠在一起，然而晶圆制造过程各种因素造成这两层掩模曝光的图形无法准确套叠在一起，因此存在套刻误差。

2、现有技术采用如光刻机对准系统、套刻误差测量设备和对准修正软件协同来计算套刻误差。但传统量测设备的算法精度低，造成套刻误差量测不准。

3、因此，本发明提供一种新的套刻误差量测的方案。

技术实现思路

1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种套刻误差量测的方法、装置、系统及存储介质。

2、本说明书实施例提供以下技术方案：

3、本说明书实施例提供一种套刻误差量测的方法，所述套刻误差量测的方法包括：

4、采用套刻标识模板，在待量测图上匹配获取定位匹配图形；

5、将定位匹配图形进行分割获得标记位置及两相邻区域；

6、计算两相邻区域图像的相关性系数；

7、若所述相关性系数满足预设阈值，则根据套刻标识对应标记位置来确定套刻误差。

8、本说明书实施例还提供一种套刻误差量测的装置，所述套刻误差量测的装置包括：

9、匹配模块，用于采用套刻标识模块，在待量测图上匹配获取定位匹配图形；

10、获取模块，用于将定位匹配图形进行分割获得标记位置及两相邻区域；

11、计算模块，用于计算两相邻区域图像的相关性系数；

12、确定模块，用于若所述相关性系数满足预设阈值，则根据套刻标识对应标记位置来确定套刻误差。

13、本说明书实施例还提供一种套刻误差量测的系统，包括：存储器、处理器以及计算机程序，所述计算机程序存储在所述存储器中，所述处理器运行所述计算机程序执行上述技术方案中所述套刻误差量测的方法。

14、本说明书实施例还提供一种可读存储介质，所述可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现上述技术方案中所述的套刻误差量测的方法。

15、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：

16、本说明书实施例根据套刻标识模板在待量测图上匹配套刻误差量测的图形区域，以及获取套刻标识对应的标记位置，进而根据相似度高的图形区域来确定对称的标记位置，最终根据对称的标记位置对应的中心来确定套刻误差，相比于现有技术套刻误差算法建模流程简单，且提升量测的准确性和稳定性。

技术特征：

1.一种套刻误差量测的方法，其特征在于，所述套刻误差量测的方法包括：

2.根据权利要求1所述的套刻误差量测的方法，其特征在于，所述两相邻区域的连接部分表示为标记位置。

3.根据权利要求1所述的套刻误差量测的方法，其特征在于，所述标记位置随两相邻区域的移动而改变。

4.根据权利要求1所述的套刻误差量测的方法，其特征在于，所述套刻误差量测的方法还包括：

5.根据权利要求4所述的套刻误差量测的方法，其特征在于，所述套刻误差量测的方法还包括：

6.根据权利要求1所述的套刻误差量测的方法，其特征在于，所述套刻误差量测的方法还包括：

7.根据权利要求1所述的套刻误差量测的方法，其特征在于，所述套刻误差量测的方法还包括：

8.一种套刻误差量测的装置，其特征在于，所述套刻误差量测的装置包括：

9.一种套刻误差量测的系统，其特征在于，包括：存储器、处理器以及计算机程序，所述计算机程序存储在所述存储器中，所述处理器运行所述计算机程序执行权利要求1-7中任一项所述套刻误差量测的方法。

10.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现权利要求1-7中任一项所述的套刻误差量测的方法。

技术总结
本申请提供一种套刻误差量测的方法、装置、系统及存储介质，其中套刻误差量测的方法包括：采用套刻标识模板，在待量测图上匹配获取定位匹配图形；将定位匹配图形进行分割获得标记位置及两相邻区域；计算两相邻区域图像的相关性系数，相关性系数代表两相邻区域的相似度；若相关性系数满足预设阈值，则根据套刻标识对应标记位置来确定套刻误差。本说明书实施例套刻误差量测的方法建模流程简单，且提升量测的准确性和稳定性。

技术研发人员：王志文,张奇,温任华
受保护的技术使用者：魅杰光电科技（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8